放大器芯片级产品

泰格微电子的RF、微波和毫米波产品组合具有DC至100GHz的频率范围,提供涵盖整个信号链的各功能器件。微波芯片采用的工艺主要有GaAs、SiGe BiCMOS、CMOS和SOI。传统采用的是GaAs,其优点是RF性能好、击穿电压高,但缺点是成本高、无法集成数字电路。目前,业界越来越多的公司都看重SiGe BiCMOS、CMOS和SOI的发展,并不断加大研发投入,这3种硅基工艺在成本、易于集成方面具有先天优势,但在击穿电压方面还有挑战。泰格微电子有两条主要产品线:一是通用的微波毫米波元器件,如开关、衰减器、混频器、放大器、移相器以及频率源等等,主要采用GaAs、GaN、SiGe和SOI实现;另外一条是定制化产品线,为客户量身定制比较复杂的、系统级产品。

公司现有放大器芯片级产品TGMC181型放大单片。该芯片的工作频段为12GHz~30GHz,相对带宽达85%,属于宽带放大器,其主要功能为实现信号的放大,可作为混频器的本振驱动,该芯片采用单电源供电,输入输出自带隔直,50Ω匹配。我们有专业而完善的芯片设计团队,可根据客户需求承研各种频段的放大器芯片产品,满足客户的差异化需求。


●  放大器芯片产品广泛应用于军事和航天、雷达和测试设备、仪器仪表、导航等电子系统中

●  放大器芯片产品可以根据客户需求,承研设计开发


      ●   产品频率范围覆盖12GHz~30GHz

      ●  工作温度覆盖:-55℃~+85℃

      ●  存储温度覆盖:-65℃~+150℃

      ●  芯片常温技术指标



      最小值

      典型值

      最大值

      最小值

      典型值

      最大值

      最小值

      典型值

      最大值

      最小值

      典型值

      最大值

      单位

      主要技术指标(Ta=25℃)

      工作频率

      12~18

      18~24

      24~28

      28~30

      GHz

      增益

      13

      16


      14

      17


      13

      16


      12

      15


      dB

      输出P1dB


      15



      16.5



      16



      16


      dBm

      噪声系数


      9

      11


      7

      9


      6.5

      8


      7.5

      9

      dB

      输入驻波

      11

      14


      10

      12


      5

      14


      4

      7


      dB

      输出驻波

      11

      13


      7

      12


      5

      7


      4

      5


      dB

      电源

      电流


      101

      135


      101

      135


      101

      135


      101

      135

      mA

      ●  芯片高低温技术指标

      高低温下增益相对常温增益变化量:≤2.5dB,其他指标不作考核


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